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PSMN3R8-100BS,118  与  IPB027N10N3 G  区别

型号 PSMN3R8-100BS,118 IPB027N10N3 G
唯样编号 A-PSMN3R8-100BS,118 A-IPB027N10N3 G
制造商 Nexperia Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 SOT404 TO-263-3
功率耗散Pd 306W 300W
工作温度 175°C -55°C~175°C
连续漏极电流Id 120A 120A
漏源极电压Vds 100V 100V
输入电容 9900pF -
导通电阻Rds(On) 3.9mΩ@10V 2.7mΩ@100A,10V
输出电容 660pF -
栅极电压Vgs 3V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税)
800+ :  ¥20.0398
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
PSMN3R8-100BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

SOT404 N-Channel 3.9mΩ@10V 306W 175°C 3V 100V 120A

¥20.0398 

阶梯数 价格
800: ¥20.0398
0 当前型号
AOB290L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 100V 20V 140A 500W 3.2mΩ@10V

暂无价格 0 对比
IRFS4010TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 375W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.7mΩ@106A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 对比
IRF100S201 Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 441W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.2mΩ@115A,10V N-Channel 100V 192A TO-263AB

暂无价格 0 对比
IPB027N10N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3 N-Channel 300W 2.7mΩ@100A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 120A

暂无价格 0 对比
IRLS4030TRLPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK

暂无价格 0 对比

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